RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
77
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,279.6
1,457.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
50
77
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
3,872.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
2,279.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
6400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
713
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link