RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3413
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link