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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.5
16.6
写入速度,GB/s
8.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3413
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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