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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
96
Intorno -317% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
23
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3260
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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