A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

総合得点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 12.5

テスト平均値

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

50 66

周辺 -32% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

7.3 1,557.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 6400

周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

66 50
読み出し速度、GB/s

2,775.5 12.5
書き込み速度、GB/秒

1,557.9 7.3
メモリ帯域幅、mbps

6400 21300

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

382 2326

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

AMD AE34G1601U2K 4GB

AMD AE34G1601U2K 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB