RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
66
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
50
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2326
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link