RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
11.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
46
周辺 -35% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
34
読み出し速度、GB/s
4,937.3
14.9
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
11.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2831
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston KF556C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link