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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
13.5
テスト平均値
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
46
周辺 -109% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
22
読み出し速度、GB/s
4,937.3
18.1
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
13.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3172
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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