RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
比較する
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
74
周辺 45% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.8
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
13.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
74
読み出し速度、GB/s
13.3
13.6
書き込み速度、GB/秒
8.8
7.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2394
1616
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAMの比較
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link