Porównanie pamięci RAM Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wynik ogólny

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

41 74

Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.8 7.7

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.6 13.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2394 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns