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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
41
周辺 -58% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
9.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
26
読み出し速度、GB/s
13.9
15.6
書き込み速度、GB/秒
9.7
11.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2366
2382
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