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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
比較する
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
総合得点
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
総合得点
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
94
周辺 67% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
5.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
4.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
94
読み出し速度、GB/s
17.4
5.6
書き込み速度、GB/秒
10.9
4.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2735
1334
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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