RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
94
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
94
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1334
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link