RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

総合得点
star star star star star
Super Talent F24UB16GV 16GB

Super Talent F24UB16GV 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
バグを報告する
Super Talent F24UB16GV 16GB 考慮すべき理由
Super Talent F24UB16GV 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 63
    周辺 -163% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 5.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.0 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1274 left arrow 3046

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB RAMの比較

AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Super Talent F24UB16GV 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
メモリRAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
メモリRAM