RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Super Talent F24UB16GV 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3046
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link