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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
16.1
17.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3411
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAMの比較
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
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