RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3411
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link