RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10.6
    テスト平均値
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 60
    周辺 -20% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 10.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 2386

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
メモリRAM