RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
60
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2386
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link