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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

総合得点
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 36
    周辺 -71% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 10.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2569 left arrow 3126

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