RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
36
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3126
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link