RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
53
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2566
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link