RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.9
    テスト平均値
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 35
    周辺 -3% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 2565

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
メモリRAM