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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
比較する
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
総合得点
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
総合得点
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
10.6
7.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
7.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
42
周辺 -8% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
39
読み出し速度、GB/s
10.6
7.5
書き込み速度、GB/秒
9.0
7.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
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Frequency (Mhz) *
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