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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
42
En -8% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
7.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1683
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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