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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
比較する
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
総合得点
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
総合得点
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
45
46
周辺 2% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12
11.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
46
読み出し速度、GB/s
11.9
12.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
7.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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