Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

总分
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

总分
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    45 left arrow 46
    左右 2% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更快的读取速度,GB/s
    12 left arrow 11.9
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    45 left arrow 46
  • 读取速度,GB/s
    11.9 left arrow 12.0
  • 写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 7.5
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2077 left arrow 1959
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