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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
総合得点
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
総合得点
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
13
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.8
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
44
読み出し速度、GB/s
13.0
12.3
書き込み速度、GB/秒
8.2
7.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2069
1977
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAMの比較
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAMの比較
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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