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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
総合得点
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
総合得点
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
44
周辺 34% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13
11.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
5.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
44
読み出し速度、GB/s
11.3
13.0
書き込み速度、GB/秒
5.9
8.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1605
2069
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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