RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    17 left arrow 30
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.2 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 17
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 21.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 3714

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
メモリRAM