RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
17
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3714
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link