RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 66
    周辺 35% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 1,451.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
    周辺 1.66% 高帯域
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 10.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 3,099.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 1,451.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 511

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB RAMの比較

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
メモリRAM