RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
66
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,451.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
6400
Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
43
66
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
3,099.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
1,451.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
6400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
511
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link