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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
総合得点
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
68
周辺 -113% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
1,670.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
32
読み出し速度、GB/s
3,554.9
9.8
書き込み速度、GB/秒
1,670.7
8.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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