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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
68
73
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
1,670.7
1,423.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
73
読み出し速度、GB/s
3,554.9
3,510.5
書き込み速度、GB/秒
1,670.7
1,423.3
メモリ帯域幅、mbps
5300
5300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
513
476
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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