SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    68 left arrow 73
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,670.7 left arrow 1,423.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    68 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,554.9 left arrow 3,510.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,670.7 left arrow 1,423.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    513 left arrow 476
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения