RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3244
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link