RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2659
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link