RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2706
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link