RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3765
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link