RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5316G1609U2K 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.2
5.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
37
Prędkość odczytu, GB/s
6.3
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1309
1967
AMD R5316G1609U2K 8GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link