RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
47
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2359
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link