RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2576
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link