RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3052
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link