RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3246
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link