RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link