RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2989
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link