RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2830
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link