RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2497
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link