RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1806
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link